对于单一阳极技术成为标准通用型选择是由于其出色的性价比。多阳极设计可提供低的ESR值，但其缺点是生产成本要高于单阳极解决方案。标准的芯片集成工艺的槽式阳极设计是低ESR与低成本折中的一种结果。因此，槽式设计通常用于价格同时要求低ESR的设计，而多阳极技术适合用于既要求低ESR更要求高可靠性的应用中，如电信基础设施、网络、服务器和军事/航空航天等应用。
除了上述差异，多阳极的概念有另两处。
(1)多阳极设计具有好的散热性能，这意味着多阳极电容可以承载高的持续电流；同理，多阳极电容对抗电流浪涌�：Φ哪芰σ睬�。
(2)相多阳极电容的单位容积效率较低，这导致了一种假设，认为多阳极不能达到与单一阳极一样的CV（定电压因素）。薄的阳极实现起来容易，并且易被二个二氧化锰电极系统穿透，使高的CV得以利用，因此，多阳极电容器能达到同样甚至高的CV水平。
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